欢迎收听正卓语音知识分享，我是产品部张朋飞，今天给大家介绍一种材料，叫做氮化镓。其实我们UPS最主要的功率器件可控硅、IGBT等都是半导体元件，而半导体元件现在主要用的核心材料是硅，其实除了硅还有很多其他材料可以做半导体器件，其中就包含氮化镓。

氮化镓（GaN）是第三代半导体的核心材料，最初是用在发光二极管领域，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。

它和SiC（碳化硅）同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的Si以及第二代的GaAs（砷化镓）等前辈相比，其在特性上优势突出。由于禁带宽度大、导热率高，GaN器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

因此，利用 GaN 人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。

与 GaN 相比，实际上同为第三代半导体材料的 SiC 的应用研究起步更早，而之所以 GaN 近年来更为抢眼。

首先，GaN 在降低成本方面显示出了更强的潜力。目前主流的 GaN 技术厂商都在研发以 Si 为衬底的 GaN 的器件，以替代昂贵的 SiC 衬底。有分析预测说今后 GaN MOSFET 的成本将与传统的 Si 器件相当，届时很可能出现一个市场拐点。并且该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会，它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。

其次，由于GaN器件是个平面器件，与现有的Si半导体工艺兼容性强，这使其更容易与其他半导体器件集成。比如有厂商已经实现了驱动IC和GaN开关管的集成，进一步降低用户的使用门槛。